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THEORIS PY302D

12英寸立式掺杂多晶硅低压化学气相沉积炉

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THEORIS PY302D 12英寸立式掺杂多晶硅低压化学气相沉积炉
THEORIS PY302D 12 Inch Vertical Doped Poly-Si LPCVD Furnace
本产品主要应用于12英寸集成电路(IC)领域掺杂多晶硅低压化学气相沉积工艺,兼容非掺杂多晶硅沉积工艺,支持薄膜及厚膜工艺,具备优异的面内及面间均匀性性能。该机台可进行全自动工艺流程,系统主要由传输模块、工艺模块、控制模块和附属设备构成。可实现原位清洗功能,能有效控制颗粒,可降低维护人力及时间以提高设备利用率。采用高精度温度场控制、先进的气流场控制和优异的微环境控制技术,可批量处理12英寸晶圆以实现高产能生产。
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