快速热处理系列设备可通过瞬间提高工艺温度并精确控制温度均匀性，实现对半导体材料的改性和调控，包括快速热退火（RTA），原位水气氧化（ISSG）、等离子体氮化（DPN）等设备，应用于离子注入后的热退火，金属硅化物形成、低界面态缺陷氧化膜生成、等离子体氮化等工艺，在极大规模先进集成电路制造的存储、逻辑、功率等领域广泛应用，目前各类设备已在产线规模量产，凭借优良的工艺性能成为客户的优选。
