本产品主要应用于12英寸集成电路（IC）领域 低压化学气相 氮化硅（SiN）薄膜沉积，Film厚度可覆盖5nm~400nm，兼容高/低温成膜工艺（630℃~780℃），可实现平面及沟道高质量成膜，台阶覆盖率达95%以上，工艺窗口覆盖面广，可替换部分小批量处理机型工艺，WPH可提升45%以上。该机台可进行全自动工艺流程，系统主要由传输模块、工艺模块、控制模块和附属设备构成。可实现原位清洗、温度自对准Tuning等功能，有效控制颗粒，提升机台膜质均匀性（面内＜1%），降低维护时间，节约人力，为客户提供高效，低成本的优质设备。