Eris系列8英寸单片减压选择性外延系统适用于8英寸的单晶硅、多晶硅同质外延和生长锗硅、磷化硅、纯锗等异质外延的工艺。Prelean腔具备处理自然氧化层能力，通过多层匀流的精细结构设计，具备可控的的刻蚀量、良好的刻蚀均匀性和刻蚀选择比；EPI腔具有先进的红外加热控制技术和优异的气流场设计，可实现温场和气流场的精确控制，从而获得良好的厚度均匀性、电阻率均匀性，高质量的外延层生长。