Hesper PN430R Ⅱ主要用于12英寸栅极氮化工艺。该机台为多腔集群设备，能够进行全自动并行工艺处理。工艺模块将氧化硅的生成、等离子氮处理及快速热退火三腔体进行集成，这三个腔体采用一个共同的晶圆传输平台，在一个机台上实现了栅的氧化、等离子体氮处理及快速退火，极尽可能地抑制了氮向沟道及绝缘栅、沟道界面的渗透，有效地增大了绝缘栅介电常数并且降低了有效绝缘栅厚度。