在Logic/3D-NAND/DRAM等产品制程中，通过等离子体去除wafer边缘处的polymer，减少后续工艺defect，提升良率；该设备为晶边刻蚀设备，工艺压力1-5Torr可调，process gap：0-0.8mm可调，晶表刻蚀距离0-7.2mm可调，晶背刻蚀距离0-5mm可调；刻蚀速率及均匀性可调。主要由多边形传输系统、工艺腔室、单频射频系统等组成。可用于： 1）Logic：OX，SiN，H-K，W以及Ti化合物；2）3D-NAND： OX，SiN ，Carbon；3）DRAM： OX，SiN ，Carbon以及Poly-Si。该设备ER稳定性高，具备可视化同轴调试功能，维护便捷，且AWC（DA）精度高等特点。