机台主要应用于12英吋介质刻蚀尤其是高深宽比介质刻蚀,典型的应用场景为3D NAND G5及以上高深宽比channel hole刻蚀。机台配备大功率的高频、低频射频电源,实现在高等离子体密度的同时具有极强的各向异性刻蚀能力;搭配边缘等离子体调节系统(PEA)、4-zone 磁场线圈,满足整个晶圆图案的垂直刻蚀一致性;多区静电卡盘氦冷系统、三区进气、tuning gas 模块保证刻蚀结果达到较高的均匀性。