Semiconductors

HSE P300

12英寸等离子体深硅刻蚀机

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HSE P300 12英寸等离子体深硅刻蚀机
HSE P300 Deep Silicon Etcher
HSE P300 是基于电感耦合技术研发的12英寸刻蚀设备,最多可以配置4个反应腔。基于高密度的等离子源装置、良好设计的腔室硬件和工艺能力,为深硅刻蚀应用提供高效,精准的刻蚀深度、均匀性控制和跨晶圆的稳定性。HSE P300主要适用于先进封装领域的深硅刻蚀应用。
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