ACE I300(V)主要用于8/12英寸光刻胶干法刻蚀。该机台为twins腔设计，采用高效离子过滤装置及多气体体系，可实现刻蚀后去胶、高能离子注入后去胶、硬掩模去除、残胶去除、表面处理等，并最大程度降低等离子体造成的底层材料损伤。配置3腔平台及智能算法系统，满足大产能量产需求。
